Samsung dijo que está desarrollando el primer chip de memoria flash NAND de 160 capas de la industria

Por qué es importante: Samsung entró en 2020 con no menos del 36 por ciento del mercado flash NAND, una posición que no cederá fácilmente a otros jugadores. El gigante coreano está luchando por ser la primera compañía que puede producir NAND de 160 capas, y hará todo lo posible para que esto suceda a través de sus fábricas chinas.

A principios de este mes, se supo que el mayor fabricante de chips de China ha creado un chip QLC NAND de 128 capas que es mejor que la sexta generación de 136 capas de V-NAND de Samsung en términos de capacidad, velocidad y eficiencia energética.

SK Hynix también se encuentra en la fase de muestreo con su TLC NAND de 128 capas para SSD de consumo y empresariales que tendrá una capacidad de 250 GB a 16 TB y vendrá en formatos blade y de 2.5 pulgadas. Western Digital y Kioxia (anteriormente Toshiba) son esperado para enviar NAND 3D de 112 capas en el cuarto trimestre de 2020. Con un poco de suerte, la cuarta generación de chips NAND de 128 capas de Micron se enviarán incluso en unidades SSD de consumo más temprano que eso.

Samsung dijo que está desarrollando el primer chip de memoria flash NAND de 160 capas de la industria

Samsung parece haber aceptado el desafío y está seguimiento rápido desarrollo de su séptima generación, memoria V-NAND de 160 capas con un plan que coincida con la fecha de lanzamiento de QLC NAND de 128 capas de YMTC, que es programado para entrar en la producción en masa a finales de este año.

El nuevo chip NAND del gigante coreano utilizará su avanzada tecnología Double Stack para lograr una densidad celular 67 por ciento más alta por paquete en comparación con los chips de 96 capas que se usan ampliamente en el mercado. Esto daría como resultado un menor consumo de energía y un precio por gigabyte, pero también podemos esperar un compromiso en la resistencia de escritura general que limitará el valor del nuevo chip para aplicaciones empresariales.

Para el mercado empresarial, el 3D XPoint de Intel y el Z-NAND de Samsung siguen siendo la mejor opción en términos de latencia y resistencia de escritura, con Intel buscando entregar flash QLC de 144 capas en las próximas unidades Optane que pueden recibir una paliza. Kioxia y Western Digital también están presentando una alternativa llamada XL-FLASH, que solo aumentará la competencia y eventualmente reducirá el costo lo suficiente como para que la tecnología llegue a los consumidores.

Samsung ganó $ 16.5 mil millones en ventas flash NAND en 2019, y ha invertido más de $ 8 mil millones en la mejora de sus fábricas en China. Recientemente, la empresa preguntó El gobierno chino permitirá que 200 ingenieros de Samsung puedan viajar a su fábrica de Xian para supervisar la producción de los nuevos chips NAND. Si todo sale según lo planeado, la planta tendrá una producción de 130,000 obleas por mes.

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